第486章 要不要一起看简单场景的电影？

  第486章 要不要一起看简单场景的电影？

  实验室，许青舟没参与卡森等人的闲聊，注意力集中在参数面板上。

  cvd生长，在h/ar（流量比1:10）气氛中升温至1050°c，通入ch（10 sccm）生长，接下来就是长达4个小时的等待。

  搞定完第一步，许青舟留守实验室，卡森三个人去吃饭，没多久，实验室中仅仅剩下设备运行时的低沉声音。

  他仔细检查完设备运行情况，转身去隔壁的办公室，打开电脑，看cvd生长的情况。

  见数据什么都没问题，他从包里掏出nbsn薄膜制备的资料。

  实验过程中会遇到两个大问题，界面应力与成分控制难题，这在一定程度上决定了薄膜能达到的性能。

  对于前者，许青舟以前用过的一种方式，低温ald和梯度退火，想办法减少热膨胀系数。

  虽然当时是用在硅基量子点的设计上，但万变不离其宗，试试再说。

  成分控制难题相对麻烦。

  需要进行大量调整，例如进行前驱体优化，替换样品，或者等离子体参数优化等等，目前也只能先做准备，一切都只有等第一轮实验数据出来了再调整。

  下午3点，许青舟和卡森再度进入实验室。

  冷却至300°c后旋涂pmma保护层。

  最后，转移到电化学剥离铜箔，捞取石墨烯至sio/si衬底，丙酮去除pmma。

  这个步骤大约2小时。