第189章 光刻机

  举个简单的例子。

  我们先在硅片上涂抹一层光刻胶，在用光线通过设计好的光掩膜照射在光刻胶上，这部分的胶体就会疲软随即被溶液洗掉，而剩下的坚挺的光刻胶就成了保护膜。

  接着只要用能腐蚀硅的溶剂把没有光刻胶保护的区域腐蚀掉一层，最后在把光刻胶保护膜清除掉，我们就在同一时间里完成了大量深坑的统一雕刻工作。

  这种对硅片定向做减法的工作就是芯片生产的第一步刻蚀，而反响做加法的工序就是沉积，狭义上可以说光刻刻的不是硅片而是光刻胶。

  除此之外为了给半导体硅赋予电特性，还要在特定区域做离子注入，这部分也需要光刻。

  正因为每一次刻蚀，沉积和离子注入都需要光刻为前提，所以在芯片制造之中光刻是根基，也是占据整个制作流程工时和成本环节最多的，也是用电量大的原因。

  在芯片的实际生产中至少要做7个步骤两次烘焙，首先是硅片清洁和表面处理。

  光刻对于清洁度的要求远远超过最先进的手术室，所以在光刻前先要给硅片洗个澡，先湿法清洗在用去离子水清洗。

  第二步是旋转涂胶，把光刻胶滴在硅片中央，通过硅片的高速转动把光刻胶摊开，再以较慢的速度旋转把胶体厚度稳定，有点类似于摊煎饼。

  这个过程大部分的光刻胶都会被甩出去浪费掉，只留下一层均匀的胶体相当于给硅片贴了一个膜。

  接下来就是第一次烘焙，也叫做前烘。

  目的是减少光刻胶中溶剂含量让其更加坚固浓稠，提高与硅片附着的稳定性。

  前烘完成后，光刻机登场对硅片对准与曝光。

  硅片在光刻机出来后还要进行一次烘焙，也就是后烘。

  目的是通过加热让光刻胶中的光化学反应充分完成，可以弥补曝光强度的问题。